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测量原理

激光干涉法适用范围

可用于测量工件尺寸为 Φ2---Φ8（INCH）直径的圆型晶片

测量精度及量程

1、关于厚度

厚度量程：100---2000um，测量精度与 WAFER 表面光洁度有关，即： 测量重复精度（砷化镓等二代半导体类双拋表面 WAFER）：±0.3um ; 测量重复精度（碳化硅等三代半导体类研磨表面 WAFER）: ±0.5um ; 测量重复精度（蓝宝石类单拋表面 WAFER）：±0.5um ;

2、关于平面度/表面形态参数测量精度